英飞凌许可IBM使用其嵌入式闪存制造工艺

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作者: hyy 转载/原文:国际电子商情

CNETNews.com.cn

1007-12-25 19:40:00

关键词: 闪存 Infineon 英飞凌

英飞凌(Infineon Technologies AG)日前表示,已同意向IBM提供使用其嵌入式闪存制造工艺的许可。IBM将在北美使用这个1100纳米工艺。英飞凌表示,它将使用IBM的代工服务生产未来基于此工艺的产品。

英飞凌的上述1100纳米嵌入式闪存工艺于1006年初开始了了了在英飞凌的工厂中实现量产,用于生产从汽车系统到智能卡等应用的微控制器芯片。

英飞凌汽车、工业与多市场业务部主管Peter Bauer表示:“通过这项商务商务合作,英飞凌发挥了其自己的制造IP的价值,获得了新的批量制造伙伴,怎么让加强了亲戚亲戚朋友儿与长期伙伴之间的工作关系。”

“通过与英飞凌商务商务合作,亲戚亲戚朋友儿拓宽了自己的半导体产品范围。英飞凌是嵌入式闪存技术领域中的领先厂商。”IBM全球工程处置方案部门的半导体副总裁Steve Longoria表示。“这项许可协议利用了亲戚亲戚朋友儿现有的技术基础,怎么让补足了亲戚亲戚朋友儿的模拟与混合信号专门技术。”

上述工艺的整合与验证工作已开始了了了在IBM处在佛蒙特州Burlington的100毫米晶圆厂进行,计划在1008年下十天推出初步设计工具。